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晶体管

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VS-GB100TH120U

  • Vishay Semiconductors
  • 新批次
  • IGBT 模块 Output & SW Modules - DIAP IGBT
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库存:49,582(价格仅供参考)
数量单价合计
12
¥2,549.9354
30599.2248
36
¥2,510.747
90386.892
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
IGBT 模块
配置
Half Bridge
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
3.1 V
在25 C的连续集电极电流
200 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
1.136 kW
封装 / 箱体
INT-A-PAK
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
商标
Vishay Semiconductors
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
12
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格,VS-GB100TH120U的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 60V N-Ch Enh FET 20Vgss 80A 62.5W
1:¥7.458
10:¥6.3732
100:¥4.8929
500:¥4.3279
1,000:¥3.4126
2,000:¥3.4126
参考库存:23124
晶体管
IGBT 晶体管 600V UltraFast 8-60kHz
1:¥18.9049
10:¥16.0573
100:¥12.8368
500:¥11.30
1,000:¥9.379
参考库存:6436
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN BIPOLAR
1:¥2.6103
10:¥1.6724
100:¥0.71416
1,000:¥0.5537
3,000:¥0.41471
参考库存:83818
晶体管
MOSFET 25V Vds 16V Vgs PowerPAIR 3 x 3
1:¥7.3789
10:¥5.8873
100:¥4.4635
500:¥3.6838
3,000:¥2.6781
6,000:查看
参考库存:33430
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 500mA 30V
1:¥3.0736
10:¥2.0001
100:¥0.83733
1,000:¥0.56839
2,000:¥0.43053
参考库存:89862
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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