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FDS8884

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数量单价合计
1
¥4.5313
4.5313
10
¥3.7516
37.516
100
¥2.2939
229.39
1,000
¥1.7628
1762.8
2,500
¥1.5029
3757.25
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
8.5 A
Rds On-漏源导通电阻
23 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
PowerTrench
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.75 mm
长度
4.9 mm
系列
FDS8884
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3.9 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
下降时间
21 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
9 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
42 ns
典型接通延迟时间
5 ns
单位重量
130 mg
商品其它信息
优势价格，FDS8884的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DDTC143TE-7-F
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 150MW 4.7K
3,000:¥0.3842
9,000:¥0.32996
24,000:¥0.30736
45,000:¥0.29154
参考库存:260032
IPZA60R045P7XKSA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET
240:¥56.3983
480:¥53.8671
720:¥49.0985
1,200:¥42.7253
参考库存:43731
PBSS8510PA,115
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 100V 5.2A NPN LOW VCESAT TRANSISTOR
3,000:¥1.11418
9,000:¥1.04525
24,000:¥0.9831
45,000:¥0.9605
99,000:¥0.92999
参考库存:43736
AFT09H310-04GSR6
NXP / Freescale
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 900MHZ 310W NI1230-4GS
150:¥1,030.3453
参考库存:43741
STB20N60M2-EP
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-channel 600 V, 0.24 Ohm typ., 13 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a D2PAK package
1,000:¥8.9157
2,000:¥8.2942
5,000:¥7.9891
10,000:¥7.684
参考库存:43746

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

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