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晶体管
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FDB13AN06A0

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库存:6,829(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥14.5205
14.5205
10
¥12.3735
123.735
100
¥9.9101
991.01
500
¥8.6784
4339.2
800
¥7.1416
5713.28
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
62 A
Rds On-漏源导通电阻
11.5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
115 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
PowerTrench
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.83 mm
长度
10.67 mm
系列
FDB13AN06A0
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
9.65 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
下降时间
26 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
96 ns
工厂包装数量
800
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
44 ns
典型接通延迟时间
9 ns
零件号别名
FDB13AN06A0_NL
单位重量
1.312 g
商品其它信息
优势价格,FDB13AN06A0的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch Sm Sig FET 4A 30V 2-in-1
1:¥3.9211
10:¥2.5877
100:¥1.4464
1,000:¥1.05316
3,000:¥0.90626
参考库存:47297
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIPLR PW TRANS FLAT LEAD 4.5x4.0mm
1:¥5.2997
10:¥3.8872
100:¥2.4408
500:¥1.9775
1,000:¥1.8871
2,000:¥1.6724
参考库存:13759
晶体管
IGBT 模块
1:¥1,772.2355
5:¥1,729.5893
10:¥1,686.638
25:¥1,662.9758
参考库存:4106
晶体管
MOSFET 500V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
1:¥12.9046
10:¥10.5994
100:¥8.1473
500:¥6.9834
1,000:¥5.5144
参考库存:8828
晶体管
MOSFET PFET FTKY S08 30V TR 3.8A
1:¥4.6895
10:¥3.8872
100:¥2.373
1,000:¥1.8419
2,500:¥1.5594
参考库存:14670
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

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