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晶体管
SIHF8N50D-E3参考图片

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SIHF8N50D-E3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 500V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
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数量单价合计
1
¥12.9046
12.9046
10
¥10.5994
105.994
100
¥8.1473
814.73
500
¥6.9834
3491.7
1,000
¥5.5144
5514.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220FP-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
500 V
Id-连续漏极电流
8.7 A
Rds On-漏源导通电阻
850 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
5 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
15 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
33 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
系列
D
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
11 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
16 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
17 ns
典型接通延迟时间
13 ns
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,SIHF8N50D-E3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V BRT NPN
1:¥2.3052
10:¥1.5255
100:¥0.63732
1,000:¥0.43844
8,000:¥0.29154
24,000:查看
参考库存:28085
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1805-1995 MHz, 63 W AVG., 28 V
1:¥1,080.5964
5:¥1,059.6236
10:¥1,024.6614
25:¥981.2468
参考库存:28090
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Bias Resistor Built-in transistor
1:¥1.695
10:¥1.06785
100:¥0.44522
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23052
参考库存:28095
晶体管
MOSFET N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
1:¥5.8421
10:¥5.1076
100:¥3.8533
500:¥2.8476
3,000:¥1.9775
6,000:查看
参考库存:20597
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Bias Resistor Built-in Transistor
1:¥1.695
10:¥1.06785
100:¥0.44522
1,000:¥0.30736
8,000:¥0.20001
24,000:查看
参考库存:28102
  • 海量现货

    50万现货SKU

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