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FDA18N50

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1
¥21.357
21.357
10
¥18.1365
181.365
100
¥14.5205
1452.05
500
¥12.7577
6378.85
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-3PN-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
500 V
Id-连续漏极电流
19 A
Rds On-漏源导通电阻
265 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
239 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
20.1 mm
长度
16.2 mm
系列
FDA18N50
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
25 S
下降时间
90 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
165 ns
工厂包装数量
450
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
95 ns
典型接通延迟时间
55 ns
单位重量
6.401 g
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
RN2131MFV(TPL3)
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100:¥94.7392
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100:¥85.3715
250:¥77.8344
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100:¥126.4018
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暂无价格
参考库存:38318

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    50万现货SKU

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