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晶体管
F3L25R12W1T4B27BOMA1参考图片

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F3L25R12W1T4B27BOMA1

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库存:3,837(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥252.2612
252.2612
5
¥249.6509
1248.2545
10
¥232.667
2326.67
25
¥222.2258
5555.645
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
技术
Si
产品
IGBT Silicon Modules
配置
3-Phase
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
1.85 V
在25 C的连续集电极电流
25 A
栅极—射极漏泄电流
100 nA
Pd-功率耗散
215 W
封装 / 箱体
EasyPack1B
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
商标
Infineon Technologies
安装风格
Through Hole
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
24
子类别
IGBTs
商标名
EasyPACK
零件号别名
F3L25R12W1T4_B27 SP001056108
商品其它信息
优势价格,F3L25R12W1T4B27BOMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch NexFET Power MOSFETs
1:¥6.8365
10:¥5.6839
100:¥3.6725
1,000:¥2.938
2,500:¥2.6668
参考库存:9370
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 80V NPN SuperSOT
1:¥4.2262
10:¥3.5256
100:¥2.147
1,000:¥1.6611
3,000:¥1.4238
参考库存:13227
晶体管
MOSFET MOSFT 55V 94A 7.5mOhm 63nC
1:¥12.5204
10:¥10.6785
100:¥8.2264
500:¥7.2885
800:¥5.7517
参考库存:16974
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Gen Pur Switch
1:¥4.7686
10:¥3.9437
100:¥2.4069
1,000:¥1.8645
2,500:¥1.582
参考库存:37521
晶体管
MOSFET SOIC8 20V N-CH 2.5V
1:¥11.752
10:¥9.6841
100:¥7.4806
500:¥6.4297
1,000:¥5.0737
2,500:¥5.0737
参考库存:13163
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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