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晶体管
FQI13N50CTU参考图片

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FQI13N50CTU

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库存:6,261(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥19.2891
19.2891
10
¥16.3624
163.624
100
¥13.0628
1306.28
500
¥11.4469
5723.45
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-262-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
500 V
Id-连续漏极电流
13 A
Rds On-漏源导通电阻
390 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
195 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
7.88 mm
长度
10.29 mm
系列
FQI13N50C
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
4.83 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
15 S
下降时间
100 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
100 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
130 ns
典型接通延迟时间
25 ns
零件号别名
FQI13N50CTU_NL
单位重量
2.084 g
商品其它信息
优势价格,FQI13N50CTU的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN+NPN Digital transistor(with built-in resistors)
1:¥3.0736
10:¥1.9775
100:¥0.85315
1,000:¥0.65314
8,000:¥0.43844
24,000:查看
参考库存:11460
晶体管
MOSFET N-Ch 650 V 0.308 Ohm 11A MDmesh M5
1:¥30.3518
10:¥25.8205
100:¥22.3627
250:¥21.2101
2,500:¥15.2889
5,000:查看
参考库存:13517
晶体管
IGBT 晶体管 N-Ch 40A 600V FS IGBT
1:¥38.8833
10:¥33.0412
100:¥28.589
250:¥27.12
参考库存:2274
晶体管
MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 1.5mOhms 200nC
1:¥40.0359
10:¥34.0356
100:¥29.5043
250:¥27.9675
4,000:¥19.3682
参考库存:124921
晶体管
MOSFET PMT280ENEA/SC-73/REEL 7" Q1/T1
1:¥2.9945
10:¥2.4973
100:¥1.5255
1,000:¥1.1865
2,000:¥1.00683
参考库存:8163
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    4小时快速发货

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