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晶体管
FGH40N60SFDTU-F085参考图片

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FGH40N60SFDTU-F085

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库存:2,274(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥38.8833
38.8833
10
¥33.0412
330.412
100
¥28.589
2858.9
250
¥27.12
6780
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.3 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
Pd-功率耗散
290 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
FGH40N60SF_F085
资格
AEC-Q101
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
40 A
商标
ON Semiconductor / Fairchild
栅极—射极漏泄电流
+/- 400 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
450
子类别
IGBTs
零件号别名
FGH40N60SFDTU_F085
单位重量
6.400 g
商品其它信息
优势价格,FGH40N60SFDTU-F085的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥9.1417
10:¥7.5258
100:¥5.7743
500:¥4.972
1,000:¥4.3618
3,000:¥4.3618
参考库存:17780
晶体管
MOSFET MOSFET
1:¥10.5994
10:¥9.0626
100:¥6.9721
500:¥6.1585
参考库存:7532
晶体管
MOSFET 40V Vds; 20/-16V Vgs PowerPAK 1212-8S
1:¥5.0737
10:¥4.0793
100:¥3.0962
500:¥2.5538
3,000:¥1.8532
6,000:查看
参考库存:2584
晶体管
MOSFET PTNG 80/20V IN 51A 10 mOhm
1:¥16.2946
10:¥13.8312
100:¥11.0627
500:¥9.6841
3,000:¥7.458
6,000:查看
参考库存:31601
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 200MW 10K
1:¥1.8419
10:¥1.243
100:¥0.52206
1,000:¥0.35369
3,000:¥0.27685
参考库存:21288
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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