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晶体管
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NSS30100LT1G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 2A 30V Low VCEsat
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数量单价合计
1
¥3.0736
3.0736
10
¥2.3165
23.165
100
¥1.2656
126.56
1,000
¥0.94468
944.68
3,000
¥0.81473
2444.19
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 30 V
集电极—基极电压 VCBO
- 50 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
- 0.65 V
最大直流电集电极电流
1 A
增益带宽产品fT
100 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
NSS30100LT1G
高度
0.94 mm
长度
2.9 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
1.3 mm
商标
ON Semiconductor
集电极连续电流
- 1 A
Pd-功率耗散
310 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格，NSS30100LT1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
ALD310704PCL
Advanced Linear Devices
晶体管
MOSFET Quad P-Channel EPAD Matched Pair
50:¥45.2565
100:¥43.1095
250:¥37.7307
500:¥36.6572
参考库存:36826
JAN2N6059
Microsemi
晶体管
达林顿晶体管 Power BJT
1:¥504.9179
5:¥483.7078
10:¥475.1763
25:¥445.5138
参考库存:36831
ALD212908APAL
Advanced Linear Devices
晶体管
MOSFET Dual N-Ch Matched Pr VGS=0.0V
50:¥45.2565
100:¥43.1095
250:¥37.7307
500:¥36.6572
参考库存:36836
JAN2N4239
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥364.764
250:¥340.4012
参考库存:36841
JAN2N2222A/TR
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
1:¥41.0303
10:¥36.5781
25:¥32.9621
100:¥30.0467
参考库存:36846

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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