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晶体管
BSS131H6327XT参考图片

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BSS131H6327XT

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数量单价合计
1
¥3.3787
3.3787
10
¥2.2261
22.261
100
¥0.95259
95.259
1,000
¥0.72998
729.98
3,000
¥0.5537
1661.1
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
240 V
Id-连续漏极电流
110 mA
Rds On-漏源导通电阻
14 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
800 mV
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
2.1 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
360 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
2.9 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
BSS131
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
1.3 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
0.06 S
下降时间
64.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3.1 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
13.7 ns
典型接通延迟时间
3.3 ns
零件号别名
BSS131 BSS131H6327XTSA1 H6327 SP000702620
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格,BSS131H6327XT的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANSISTOR
1:¥1.695
10:¥1.1413
100:¥0.47686
1,000:¥0.32996
3,000:¥0.25312
参考库存:37007
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 400V 0.5A
1:¥6.6105
10:¥5.4805
100:¥3.5369
1,000:¥2.825
2,500:¥2.3843
参考库存:37012
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Transistor
100:¥551.4852
参考库存:37017
晶体管
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705:¥9.605
1,000:¥7.91
2,500:¥7.0964
10,000:¥6.8252
参考库存:37022
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS DIGI BJT PNP 50V 100MA
1:¥1.4577
10:¥1.2882
100:¥0.45313
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23052
参考库存:37027
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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