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晶体管
IHW30N135R5XKSA1参考图片

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IHW30N135R5XKSA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 TRENCHSTOP RC-H5 1200V IGBT
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数量单价合计
1
¥31.0411
31.0411
10
¥26.3516
263.516
100
¥22.8938
2289.38
250
¥21.6734
5418.35
500
¥19.5151
9757.55
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1350 V
集电极—射极饱和电压
1.65 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
60 A
Pd-功率耗散
330 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
RC-H5
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
60 A
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 uA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOPâ?¢
零件号别名
IHW30N135R5
商品其它信息
优势价格,IHW30N135R5XKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET PFET 30V 1.95A 20MO
1:¥3.0736
10:¥2.5538
100:¥1.5594
1,000:¥1.2091
3,000:¥1.02943
参考库存:69110
晶体管
MOSFET 30V 400 MA DUAL N-CH TRENCH MOSFET
1:¥3.1527
10:¥2.1922
100:¥1.01474
1,000:¥0.77631
4,000:¥0.66105
参考库存:193062
晶体管
MOSFET 100V N-Ch QFET Logic Level
1:¥5.763
10:¥4.7686
100:¥3.0849
1,000:¥2.4634
参考库存:30894
晶体管
MOSFET 60V 2.5Ohm
1:¥3.9211
10:¥3.8985
25:¥3.2431
100:¥2.9267
参考库存:22411
晶体管
MOSFET NFET DPAK 90V 38A 25MOHM
1:¥9.9892
10:¥8.5315
100:¥6.5427
500:¥5.7743
2,500:¥4.0454
10,000:查看
参考库存:16613
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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