FDD6N50TM-F085详细参数_参考价格_FDD6N50TM-F085 PDF资料_ON Semiconductor / Fairchild

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	ON Semiconductor
产品种类	MOSFET
RoHS	是
技术	Si
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	TO-252-3
通道数量	1 Channel
晶体管极性	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压	500 V
Id-连续漏极电流	6 A
Rds On-漏源导通电阻	760 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压	30 V
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
Pd-功率耗散	89 W
配置	Single
通道模式	Enhancement
资格	AEC-Q101
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
高度	2.39 mm
长度	6.73 mm
系列	FDD6N50TM_F085
晶体管类型	1 N-Channel
类型	Enhancement Mode Field Effect Transistor
宽度	6.22 mm
商标	ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值	2.5 S
下降时间	35 ns
产品类型	MOSFET
上升时间	55 ns
工厂包装数量	2500
子类别	MOSFETs
典型关闭延迟时间	25 ns
典型接通延迟时间	6 ns
零件号别名	FDD6N50TM_F085
单位重量	260.370 mg

商品其它信息

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型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
FQP22N30	ON Semiconductor / Fairchild	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 300V N-Channel QFET	1:¥20.2044 10:¥17.1308 100:¥13.7521 500:¥11.9893 1,000:¥9.9101	参考库存:8850
BFU520AR	NXP Semiconductors	晶体管	PDF数据手册	射频(RF)双极晶体管 Dual NPN wideband Silicon RFtransistor	1:¥3.0736 10:¥2.5312 100:¥1.5481 1,000:¥1.1978 3,000:¥1.02152	参考库存:4447
ARF1500	Microsemi	晶体管	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)	1:¥1,386.1145 2:¥1,352.7682 5:¥1,333.0158 10:¥1,314.1222	参考库存:3694
VN0104N3-G	Microchip Technology	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 40V 3Ohm	1:¥4.5313 10:¥4.52 25:¥3.7177 100:¥3.4013	参考库存:26061
NTRV4101PT1G	ON Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	MOSFET PFET 20V 3.2A 85MO	1:¥4.068 10:¥3.4352 100:¥2.1018 1,000:¥1.6159 3,000:¥1.3786	参考库存:44713