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晶体管
R6020ANZC8参考图片

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R6020ANZC8

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET 10V Drive Nch MOSFET
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库存:41,711(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥28.1257
28.1257
10
¥23.8995
238.995
100
¥20.7468
2074.68
360
¥19.6733
7082.388
720
¥17.6732
12724.704
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-3PF-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
20 A
Rds On-漏源导通电阻
170 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.95 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
65 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
120 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel
商标
ROHM Semiconductor
下降时间
70 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
60 ns
工厂包装数量
360
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
230 ns
典型接通延迟时间
40 ns
零件号别名
R6020ANZ
单位重量
5.500 g
商品其它信息
优势价格,R6020ANZC8的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
1:¥8.2942
10:¥6.7913
100:¥5.2093
500:¥4.4748
1,000:¥3.5369
3,000:¥3.5369
参考库存:10138
晶体管
IGBT 模块 SLLIMM IPM 3-Phase 10A 600V Rugged IGBT
1:¥85.5975
10:¥78.6819
25:¥75.4614
100:¥66.4666
参考库存:1915
晶体管
MOSFET MOSFT 100V 56A 18mOhm 69nC Qg
1:¥13.8312
10:¥11.752
100:¥9.379
500:¥8.2264
1,000:¥6.8365
2,000:¥6.8365
参考库存:78537
晶体管
MOSFET MOSFT 100V 65A 9.3mOhm 83nC
1:¥16.3624
10:¥13.9103
100:¥11.1418
500:¥9.6841
1,000:¥8.0682
参考库存:11869
晶体管
MOSFET 60V N-Channel NexFET Pwr MOSFET
1:¥6.9947
10:¥5.8421
100:¥3.7516
1,000:¥3.0058
2,500:¥2.7233
参考库存:32671
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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