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晶体管
FQD17N08LTM参考图片

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FQD17N08LTM

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库存:12,127(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥7.6049
7.6049
10
¥6.441
64.41
100
¥4.9381
493.81
500
¥4.3731
2186.55
2,500
¥3.0623
7655.75
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
80 V
Id-连续漏极电流
12.9 A
Rds On-漏源导通电阻
100 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.39 mm
长度
6.73 mm
系列
FQD17N08L
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
6.22 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
11.7 S
下降时间
75 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
290 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
20 ns
典型接通延迟时间
7 ns
单位重量
260.370 mg
商品其它信息
优势价格,FQD17N08LTM的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET PFET UDFN 20V 8.2A 18MOHM
1:¥3.6838
10:¥3.0623
100:¥1.8645
1,000:¥1.4464
3,000:¥1.2317
参考库存:21908
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V BRT PNP
1:¥0.99892
10:¥0.90626
100:¥0.32318
1,000:¥0.2147
3,000:¥0.16159
参考库存:91015
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS
1:¥37.1883
10:¥31.5835
100:¥27.3573
250:¥25.9674
500:¥23.278
参考库存:5387
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PRE-BIAS NPN 200mW
1:¥1.8419
10:¥1.243
100:¥0.52206
1,000:¥0.35369
3,000:¥0.27685
参考库存:76354
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V BRT NPN
1:¥1.8419
10:¥1.2091
100:¥0.50737
1,000:¥0.34578
8,000:¥0.23052
24,000:查看
参考库存:117181
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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  • 闪电发货

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