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晶体管
IPB17N25S3-100参考图片

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IPB17N25S3-100

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数量单价合计
1
¥12.2153
12.2153
10
¥10.3734
103.734
100
¥8.2942
829.42
500
¥7.3111
3655.55
1,000
¥6.0681
6068.1
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PG-TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
250 V
Id-连续漏极电流
17 A
Rds On-漏源导通电阻
100 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
14 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
107 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
系列
IPB17N25
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
1.2 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3.7 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
7.5 ns
典型接通延迟时间
4.4 ns
零件号别名
IPB17N25S3100ATMA1 IPB17N25S31XT SP000876560
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,IPB17N25S3-100的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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    50万现货SKU

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