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晶体管
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FDP18N50

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库存：13,391(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥18.3625
18.3625
10
¥15.594
155.94
100
¥12.4526
1245.26
500
¥10.9158
5457.9
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
500 V
Id-连续漏极电流
8 A
Rds On-漏源导通电阻
265 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
38.5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
16.3 mm
长度
10.67 mm
系列
FDP18N50
晶体管类型
1 N-Channel
类型
Power MOSFET
宽度
4.7 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
25 S
下降时间
90 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
165 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
95 ns
典型接通延迟时间
55 ns
单位重量
1.800 g
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FS600R07A2E3B31BOSA1
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块
1:¥5,082.6609
5:¥4,776.3744
参考库存:36045
IMX3T108
ROHM Semiconductor
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) DUAL NPN 50V 150MA SOT-457
1:¥3.3787
10:¥2.5538
100:¥1.3786
1,000:¥1.03734
3,000:¥0.89948
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SD2931-12W
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR N-Ch MOS 150W 14dB 175MHz
1:¥544.3323
5:¥534.3431
10:¥520.5119
25:¥510.2967
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2N6049
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1:¥408.7097
2:¥397.5679
5:¥386.5843
10:¥375.5216
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JAN2N3767
Microsemi
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥329.6436
5:¥313.123
10:¥304.8966
25:¥280.1609
参考库存:36065

  • 海量现货

    50万现货SKU

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