FZ400R12KE3B1详细参数_参考价格_FZ400R12KE3B1 PDF资料_Infineon Technologies

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Infineon
产品种类	IGBT 模块
产品	IGBT Silicon Modules
配置	Single Dual Collector Dual Emitter
集电极—发射极最大电压 VCEO	1200 V
在25 C的连续集电极电流	650 A
封装 / 箱体	62 mm
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	+ 125 C
封装	Tray
高度	36.5 mm
长度	106.4 mm
宽度	61.4 mm
商标	Infineon Technologies
安装风格	Chassis Mount
栅极/发射极最大电压	20 V
产品类型	IGBT Modules
工厂包装数量	10
子类别	IGBTs
零件号别名	FZ400R12KE3B1HOSA1 SP000100738

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
NSV40301MZ4T1G	ON Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 40V LOW SAT BP	1:¥4.9155 10:¥4.0454 100:¥2.6103 1,000:¥2.0905 2,000:¥1.7628	参考库存:18486
FZT955TA	Diodes Incorporated	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP High Current	1:¥7.5258 10:¥6.4523 100:¥4.9607 500:¥4.3844 1,000:¥3.4578	参考库存:33803
BC846ALT3G	ON Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 100mA 80V NPN	1:¥0.84524 10:¥0.7684 100:¥0.26894 1,000:¥0.18419 10,000:¥0.12317 20,000:查看	参考库存:159060
DMN2065UWQ-7	Diodes Incorporated	晶体管	PDF数据手册	MOSFET MOSFETBVDSS: 8V-24V	1:¥3.0736 10:¥2.1809 100:¥1.00683 1,000:¥0.7684 3,000:¥0.66105	参考库存:6467
ZXMP2120FFTA	Diodes Incorporated	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 200V P-CHANNEL	1:¥5.4579 10:¥4.5652 100:¥2.938 1,000:¥2.3617 3,000:¥2.3617	参考库存:30354