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晶体管
MJD122-1参考图片

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MJD122-1

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 达林顿晶体管 NPN PWR Darlington Int Anti Collector
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库存:18,408(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.9156
6.9156
10
¥5.7178
57.178
100
¥3.6838
368.38
1,000
¥2.9493
2949.3
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
达林顿晶体管
配置
Single
晶体管极性
NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO
100 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—基极电压 VCBO
100 V
最大直流电集电极电流
5 A
最大集电极截止电流
10 uA
Pd-功率耗散
20 W
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-252-2
最大工作温度
+ 150 C
系列
MJD122
封装
Tube
直流电流增益 hFE 最大值
12000
高度
7.2 mm
长度
6.6 mm
宽度
2.4 mm
商标
STMicroelectronics
直流集电极/Base Gain hfe Min
100
产品类型
Darlington Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
单位重量
340 mg
商品其它信息
优势价格,MJD122-1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET UniFET 500V 10A
1:¥11.526
10:¥9.7632
100:¥7.8422
500:¥6.8591
参考库存:6102
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
2,500:¥2.2148
参考库存:23682
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 921-960MHz 150Watt Gain 18dB
1:¥963.4154
5:¥884.0442
10:¥793.373
25:¥702.7018
参考库存:23687
晶体管
达林顿晶体管 TRANS DARLINGTON
1:¥2.6103
10:¥1.7289
100:¥0.72207
1,000:¥0.49155
10,000:¥0.32996
20,000:查看
参考库存:51189
晶体管
MOSFET N-Chan 100V 15 Amp
800:¥7.232
参考库存:23694
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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