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晶体管
IKB10N60TATMA1参考图片

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IKB10N60TATMA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 LOW LOSS DuoPack 600V 10A
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库存:9,482(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥17.4472
17.4472
10
¥14.8256
148.256
100
¥11.9102
1191.02
500
¥10.3734
5186.7
1,000
¥8.6106
8610.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-263-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
24 A
Pd-功率耗散
110 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
TRENCHSTOP IGBT
封装
Cut Tape
封装
Reel
高度
4.57 mm
长度
10.31 mm
宽度
9.45 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IKB10N60T IKB1N6TXT SP000014833
商品其它信息
优势价格,IKB10N60TATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Medium Voltage
1:¥3.3787
10:¥2.8137
100:¥1.7176
1,000:¥1.3334
2,000:¥1.13
参考库存:384665
晶体管
MOSFET -8V -1.4A P-Channel
1:¥3.616
10:¥2.5538
100:¥1.1752
1,000:¥0.89948
3,000:¥0.7684
参考库存:237212
晶体管
MOSFET N-CH TRNCH 60V 300MA
1:¥1.695
10:¥1.10627
100:¥0.46104
1,000:¥0.31527
3,000:¥0.24634
参考库存:1368529
晶体管
MOSFET N-channel 80 V 14 mo FET
1:¥6.8365
10:¥5.8421
100:¥4.4861
500:¥3.9663
1,000:¥3.1301
1,500:¥3.1301
参考库存:25276
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) GENERAL PURPOSE TRANSISTOR
1:¥2.147
10:¥1.4577
100:¥0.61472
1,000:¥0.41471
4,000:¥0.32996
参考库存:305053
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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