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晶体管
FZT855TA参考图片

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FZT855TA

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN High Current
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库存:75,703(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.9947
6.9947
10
¥6.0229
60.229
100
¥4.633
463.3
500
¥4.0906
2045.3
1,000
¥3.2318
3231.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-223-4
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
150 V
集电极—基极电压 VCBO
250 V
发射极 - 基极电压 VEBO
7 V
集电极—射极饱和电压
355 mV
最大直流电集电极电流
10 A
增益带宽产品fT
90 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
FZT855
直流电流增益 hFE 最大值
100
高度
1.65 mm
长度
6.7 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
3.7 mm
商标
Diodes Incorporated
集电极连续电流
5 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
15 at 5 A, 5 V
Pd-功率耗散
3 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
Transistors
单位重量
112 mg
商品其它信息
优势价格,FZT855TA的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET SuperFET2 600V Slow version
1:¥28.5099
10:¥24.2046
100:¥20.9728
250:¥19.8993
参考库存:4205
晶体管
MOSFET 30V N CH MOSFET
1:¥15.142
10:¥12.8368
100:¥10.2152
250:¥10.2152
500:¥8.9157
参考库存:8962
晶体管
MOSFET LOW POWER_LEGACY
1:¥6.6896
10:¥5.5822
100:¥3.6047
1,000:¥2.8815
2,500:¥2.8815
参考库存:89454
晶体管
MOSFET -30V Vds 25V Vgs PowerPAK 1212-8
1:¥5.2206
10:¥4.0115
100:¥2.9832
500:¥2.4408
3,000:¥1.7176
6,000:查看
参考库存:22486
晶体管
MOSFET 30V N-Channel Trench MOSFET
1:¥3.3787
10:¥2.1696
100:¥0.92999
1,000:¥0.71416
10,000:¥0.48364
20,000:查看
参考库存:77688
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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