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晶体管
DMHT6016LFJ-13参考图片

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DMHT6016LFJ-13

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
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数量单价合计
1
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11.526
10
¥9.831
98.31
100
¥7.8422
784.22
500
¥6.8591
3429.55
1,000
¥5.6839
5683.9
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
V-DFN5045-12
通道数量
4 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
10.6 A
Rds On-漏源导通电阻
17 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
17 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.16 W
配置
Quad
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
晶体管类型
4 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5.2 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
13 ns
典型接通延迟时间
3.4 ns
商品其它信息
优势价格,DMHT6016LFJ-13的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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10:¥1.4012
100:¥0.49946
1,000:¥0.32996
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2,500:¥2.4408
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9,000:¥0.46895
24,000:¥0.43844
参考库存:33021
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    50万现货SKU

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