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晶体管
STI4N62K3参考图片

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STI4N62K3

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-channel 620 V 17 Pwr MOSFET
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库存:5,724(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥11.3678
11.3678
10
¥9.6841
96.841
100
¥7.4806
748.06
500
¥6.6105
3305.25
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-262-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
620 V
Id-连续漏极电流
3.8 A
Rds On-漏源导通电阻
2 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.75 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
22 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
70 W
配置
Single
商标名
SuperMESH
封装
Tube
系列
STI4N62K3
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
19 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
9 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
29 ns
典型接通延迟时间
10 ns
单位重量
1.438 g
商品其它信息
优势价格,STI4N62K3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
100:¥328.9543
250:¥300.6704
参考库存:41710
晶体管
MOSFET Quad P-Channel EPAD Matched Pair
50:¥50.9404
100:¥48.4092
250:¥43.3355
500:¥40.8043
参考库存:41715
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥582.2212
参考库存:41720
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
50:¥1,583.4464
100:¥1,583.4464
参考库存:41725
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥206.6205
250:¥189.6366
500:¥180.4949
参考库存:41730
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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