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晶体管
FCD7N60TM-WS参考图片

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FCD7N60TM-WS

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数量单价合计
1
¥10.9158
10.9158
10
¥9.2999
92.999
100
¥7.1642
716.42
500
¥6.3393
3169.65
1,000
¥5.0059
5005.9
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
7 A
Rds On-漏源导通电阻
530 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
83 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
SuperFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.39 mm
长度
6.73 mm
系列
FCD7N60
晶体管类型
1 N-Channel
类型
SuperFET
宽度
6.22 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
6 S
下降时间
32 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
55 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
75 ns
典型接通延迟时间
35 ns
零件号别名
FCD7N60TM_WS
单位重量
260.370 mg
商品其它信息
优势价格,FCD7N60TM-WS的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 500 V, 0.25 A PNP high-voltage low VCEsat (BISS) transistor
1:¥3.3787
10:¥2.7459
100:¥1.6724
1,000:¥1.2995
10,000:¥1.02943
20,000:查看
参考库存:53352
晶体管
MOSFET N-channel 650 V, 0.15 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
1:¥21.0519
10:¥17.8314
100:¥14.2945
500:¥12.5204
参考库存:18104
晶体管
MOSFET N-Ch 700V 46A TO247-4
1:¥85.7557
10:¥78.9192
25:¥75.6083
100:¥66.6248
参考库存:5181
晶体管
MOSFET LOW POWER_NEW
1:¥16.6788
10:¥14.1363
100:¥11.30
500:¥9.9101
1,000:¥8.2264
参考库存:9633
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Dual 60V NPN/PNP
1:¥5.0737
10:¥4.2149
100:¥2.7233
1,000:¥2.1809
3,000:¥2.1809
参考库存:17010
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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