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晶体管
IRFB7434GPBF参考图片

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IRFB7434GPBF

  • Infineon / IR
  • 新批次
  • MOSFET MOSFET, 40V, 195A, 1 216 nC Qg, TO-220AB
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库存:12,207(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥17.1308
17.1308
10
¥14.5205
145.205
100
¥11.6051
1160.51
500
¥10.1474
5073.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
317 A
Rds On-漏源导通电阻
1.25 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
324 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
294 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
StrongIRFET
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.4 mm
商标
Infineon / IR
正向跨导 - 最小值
211 S
下降时间
68 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
68 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
115 ns
典型接通延迟时间
24 ns
零件号别名
SP001577770
单位重量
1.800 g
商品其它信息
优势价格,IRFB7434GPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Channel Mosfet
1:¥3.7629
10:¥2.7798
100:¥1.7515
1,000:¥1.3108
3,000:¥1.11418
参考库存:28515
晶体管
MOSFET 30V N-channel Trench MOSFET
1:¥4.068
10:¥3.4917
100:¥2.0001
1,000:¥1.5933
3,000:¥1.5933
参考库存:28267
晶体管
IGBT 晶体管 600V AUTO ULTRAFAST 8-60KHZ DSCRETE IGBT
1:¥25.6623
10:¥21.8203
100:¥18.9049
250:¥17.8992
800:¥13.6052
2,400:查看
参考库存:5319
晶体管
MOSFET 600V N-Channel QFET
1:¥15.9782
10:¥13.6052
100:¥10.9158
500:¥9.5259
参考库存:5481
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm
1:¥6.8365
10:¥5.2997
100:¥4.6443
500:¥4.1471
3,000:¥2.2487
9,000:查看
参考库存:15623
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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