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晶体管
FDS6673BZ-F085参考图片

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FDS6673BZ-F085

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库存:23,000(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥9.0626
9.0626
10
¥7.7631
77.631
100
¥5.989
598.9
500
¥5.2884
2644.2
2,500
¥3.7064
9266
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
14.5 A
Rds On-漏源导通电阻
6.5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
88 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.5 W
配置
Single
资格
AEC-Q101
商标名
PowerTrench
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.75 mm
长度
4.9 mm
系列
FDS6673BZ_F085
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
3.9 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
60 S
下降时间
105 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
16 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
225 ns
典型接通延迟时间
14 ns
零件号别名
FDS6673BZ_F085
单位重量
230.400 mg
商品其它信息
优势价格,FDS6673BZ-F085的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 模块 N-CH 1.2KV 225A
1:¥748.1165
5:¥734.3644
10:¥701.3232
25:¥677.9548
参考库存:3579
晶体管
MOSFET TRENCH 8 80V NFET
1:¥13.1419
10:¥11.1418
100:¥8.9157
500:¥7.8422
1,500:¥6.0003
4,500:查看
参考库存:17756
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 6-Pin
1:¥2.4634
10:¥1.7176
100:¥0.72207
1,000:¥0.49155
3,000:¥0.3842
参考库存:120483
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) LOW VOLTAGE FAST SWITCHING PNP POWER
1:¥2.9945
10:¥2.4973
100:¥1.5255
1,000:¥1.1865
3,000:¥1.00683
参考库存:65350
晶体管
IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 40 A high speed
1:¥31.1993
10:¥26.5098
100:¥22.9729
250:¥21.8203
参考库存:9537
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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