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晶体管
FDD26AN06A0-F085参考图片

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FDD26AN06A0-F085

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库存:104,341(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥10.0683
10.0683
10
¥8.6106
86.106
100
¥6.6444
664.44
500
¥5.8647
2932.35
2,500
¥4.1019
10254.75
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
36 A
Rds On-漏源导通电阻
20 mOhms
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
75 W
配置
Single
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.39 mm
长度
6.73 mm
系列
FDD26AN06_F085
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
6.22 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
零件号别名
FDD26AN06A0_F085
单位重量
260.370 mg
商品其它信息
优势价格,FDD26AN06A0-F085的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET TRENCH 3.1 30V 9 Ohm NCH
1:¥4.3053
10:¥3.616
100:¥2.1922
1,000:¥1.695
5,000:¥1.4464
参考库存:128037
晶体管
MOSFET N-channel 60 V, 0.0031 Ohm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in TO-220 package
1:¥17.7523
10:¥15.0629
100:¥12.0684
500:¥10.5316
参考库存:23919
晶体管
MOSFET HIGH POWER_NEW
1:¥56.2514
10:¥50.7935
25:¥48.4883
100:¥42.1038
参考库存:4576
晶体管
MOSFET -30V Vds 25V Vgs SO-8
1:¥9.605
10:¥7.91
100:¥6.102
500:¥5.2432
1,000:¥4.1471
2,500:¥4.1471
参考库存:15198
晶体管
MOSFET 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
1:¥6.6105
10:¥5.4805
100:¥3.5369
1,000:¥2.825
2,500:¥2.3843
参考库存:3325
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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