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晶体管
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CSD25484F4T

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET 20V P-Ch FemtoFET MOSFET
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库存：27,009(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.2996
3.2996
10
¥2.5312
25.312
100
¥1.3673
136.73
250
¥1.3673
341.825
1,000
¥1.02943
1029.43
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PICOSTAR-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
2.5 A
Rds On-漏源导通电阻
825 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
12 V
Qg-栅极电荷
1.09 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
500 mW (1/2 W)
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
FemtoFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.2 mm
长度
1 mm
系列
CSD25484F4
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
0.6 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
3.5 S
下降时间
8.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5 ns
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
18 ns
典型接通延迟时间
9.5 ns
单位重量
0.400 mg
商品其它信息
优势价格，CSD25484F4T的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
NSVT65011MW6T1G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Dual Matched NPN Tra
1:¥3.1527
10:¥2.1809
100:¥1.00683
1,000:¥0.7684
3,000:¥0.66105
参考库存:75000
SPA21N50C3
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 500V 21A TO220FP-3 CoolMOS C3
1:¥29.1992
10:¥24.8148
100:¥21.5152
250:¥20.3626
500:¥18.2834
参考库存:3452
BUK9620-55A,118
Nexperia
晶体管
MOSFET TAPE13 PWR-MOS
1:¥7.3789
10:¥6.2489
100:¥4.8025
500:¥4.2375
800:¥3.3448
参考库存:24234
PUMH10,125
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 6-Pin
1:¥2.5312
10:¥1.7176
100:¥0.72207
1,000:¥0.49155
3,000:¥0.3842
参考库存:30996
BSP62,115
Nexperia
晶体管
达林顿晶体管 TRANS DARLINGTON
1:¥4.5313
10:¥3.8081
100:¥2.3278
1,000:¥1.7967
2,000:¥1.5368
参考库存:11168

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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