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晶体管
IPD031N06L3 G参考图片

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IPD031N06L3 G

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 60V 100A DPAK-2 OptiMOS 3
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数量单价合计
1
¥17.515
17.515
10
¥14.8256
148.256
100
¥11.9102
1191.02
500
¥10.3734
5186.7
2,500
¥7.9891
19972.75
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
2.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
79 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
167 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
6.22 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
83 S
下降时间
13 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
78 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
64 ns
典型接通延迟时间
25 ns
零件号别名
IPD031N06L3GATMA1 IPD31N6L3GXT SP000451076
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,IPD031N06L3 G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET CONSUMER
1,500:¥1.2882
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250:¥330.9544
参考库存:46749
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160:¥427.5355
参考库存:46754
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    50万现货SKU

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