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晶体管
NGTB30N135IHR1WG参考图片

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NGTB30N135IHR1WG

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 1350V/30A IGBT FSII
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数量单价合计
1
¥36.5781
36.5781
10
¥31.1202
311.202
100
¥26.9731
2697.31
250
¥25.5832
6395.8
500
¥22.8938
11446.9
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.35 kV
集电极—射极饱和电压
2.6 V
栅极/发射极最大电压
25 V
在25 C的连续集电极电流
60 A
Pd-功率耗散
394 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
封装
Tube
商标
ON Semiconductor
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
30
子类别
IGBTs
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,NGTB30N135IHR1WG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS GP TAPE-13
1:¥1.6159
10:¥1.4238
100:¥0.50737
1,000:¥0.33787
10,000:¥0.22261
20,000:查看
参考库存:33750
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥2,207.229
2:¥2,154.1303
5:¥2,122.6259
10:¥2,092.5792
参考库存:2167
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 25V 200mW
1:¥2.6103
10:¥1.6724
100:¥0.71416
1,000:¥0.5537
3,000:¥0.41471
参考库存:47039
晶体管
MOSFET N-CH 80 V 46 MOHM MOSFET
1:¥13.0628
10:¥11.1418
100:¥8.9157
500:¥7.8422
800:¥6.441
参考库存:25601
晶体管
MOSFET CONSUMER
1:¥4.7686
10:¥4.0002
100:¥2.4408
1,000:¥1.8871
2,500:¥1.6159
参考库存:101023
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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