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晶体管
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FDI030N06

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库存:7,303(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥36.3408
36.3408
10
¥30.8942
308.942
100
¥26.8149
2681.49
250
¥25.4363
6359.075
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-262-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
193 A
Rds On-漏源导通电阻
3.2 mOhms
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
231 W
配置
Single
商标名
PowerTrench
封装
Tube
高度
7.88 mm
长度
10.29 mm
系列
FDI030N06
晶体管类型
1 N-Channel
类型
N-Channel MOSFET
宽度
4.83 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
154 S
下降时间
33 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
178 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
54 ns
典型接通延迟时间
39 ns
单位重量
2.387 g
商品其它信息
优势价格,FDI030N06的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN 50V 100MA
1:¥3.6838
10:¥2.3843
100:¥1.02152
1,000:¥0.78422
3,000:¥0.5989
参考库存:41262
晶体管
MOSFET MOSFET
2,500:¥1.7967
5,000:¥1.5255
参考库存:41267
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS W/ BLT-IN RES FLT LD 2.0x2.1mm
3,000:¥0.50737
9,000:¥0.45313
24,000:¥0.42262
参考库存:41272
晶体管
MOSFET NFET SO8FL 40V 86A 7.5MOH
5,000:¥3.5595
10,000:¥3.4239
25,000:¥3.3109
参考库存:41277
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANSISTOR BIPOLAR PNP; 30V; 1.5A
1:¥4.3053
10:¥3.5595
100:¥2.1696
1,000:¥1.6724
2,000:¥1.4238
参考库存:41282
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

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