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晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	ROHM Semiconductor
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Dual
晶体管极性	PNP
典型输入电阻器	10 kOhms
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	UMT-6
直流集电极/Base Gain hfe Min	100
集电极—发射极最大电压 VCEO	- 50 V
集电极连续电流	- 100 mA
峰值直流集电极电流	100 mA
Pd-功率耗散	150 mW
最大工作温度	+ 150 C
系列	UMB4N
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
发射极 - 基极电压 VEBO	- 5 V
高度	0.9 mm
长度	2 mm
宽度	1.25 mm
商标	ROHM Semiconductor
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	3000
子类别	Transistors
零件号别名	UMB4N

商品其它信息

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型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
IPB160N08S403ATMA1	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-CHANNEL 75/80V	1:¥21.5152 10:¥18.2834 100:¥15.8313 250:¥15.0629 1,000:¥11.3678 2,000:查看	参考库存:41751
NDC7002N	ON Semiconductor / Fairchild	晶体管	PDF数据手册	MOSFET SO-6 N-CH ENHANCE	1:¥3.616 10:¥2.7911 100:¥1.5142 1,000:¥1.13 3,000:¥0.97632	参考库存:17050
ARF476FL	Microsemi	晶体管	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)	1:¥779.5418 2:¥755.4163 5:¥755.179 10:¥730.8275	参考库存:4192
CGHV22200F	Wolfspeed / Cree	晶体管	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 GaN HEMT 1.8-2.2GHz, 200 Watt	暂无价格	参考库存:41760
R6030KNZ1C9	ROHM Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	MOSFET Nch 600V 30A Si MOSFET	1:¥25.8996 10:¥21.9785 100:¥19.0518 250:¥18.0574	参考库存:14014