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晶体管
RGPR10BM40FHTL参考图片

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RGPR10BM40FHTL

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 430V 20A 1.6V Vce Ignition IGBT
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数量单价合计
1
¥11.4469
11.4469
10
¥9.831
98.31
100
¥7.5032
750.32
500
¥6.6331
3316.55
1,000
¥5.2319
5231.9
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-252-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
460 V
集电极—射极饱和电压
1.6 V
栅极/发射极最大电压
10 V
在25 C的连续集电极电流
20 A
Pd-功率耗散
107 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
RGP
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极最大连续电流 Ic
20 A
商标
ROHM Semiconductor
栅极—射极漏泄电流
0.6 mA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
2500
子类别
IGBTs
零件号别名
RGPR10BM40FH
商品其它信息
优势价格,RGPR10BM40FHTL的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 晶体管 INDUSTRY 14
1:¥40.567
10:¥34.4989
100:¥29.8885
250:¥28.3517
500:¥25.5154
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN High Voltage
1:¥6.9947
10:¥6.0229
100:¥4.633
500:¥4.0906
1,000:¥3.2318
参考库存:43704
晶体管
MOSFET N-channel TrenchMOS intermed level FET
1:¥20.0575
10:¥17.063
100:¥13.6052
500:¥11.9102
800:¥9.9101
参考库存:25911
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IGBT 晶体管 Infineon s 650 V, 20 A hard-switching TRENCHSTOP 5 IGBT in a TO263 D2Pak package, redefines Best-in-class IGBT by providing unmatched performance in terms of efficiency for hard switching applications. The new family is a major breakthrough in IGBT i
1:¥22.9729
10:¥19.5151
100:¥16.9048
250:¥16.0573
3,000:¥11.526
5,000:查看
参考库存:6813
晶体管
MOSFET 60V N-Channel Sm Sig
1:¥2.9945
10:¥1.9662
100:¥0.84524
1,000:¥0.65314
2,000:¥0.49155
参考库存:425605
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    50万现货SKU

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