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晶体管
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BSS214N H6327

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库存：146,362(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.6838
3.6838
10
¥2.4295
24.295
100
¥1.04525
104.525
1,000
¥0.79891
798.91
3,000
¥0.60681
1820.43
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
1.5 A
Rds On-漏源导通电阻
106 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
700 mV
Vgs - 栅极-源极电压
12 V
Qg-栅极电荷
800 pC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
500 mW (1/2 W)
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
2.9 mm
系列
BSS214
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
1.3 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
4 S
下降时间
1.4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
7.8 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
6.8 ns
典型接通延迟时间
4.1 ns
零件号别名
BSS214NH6327XT BSS214NH6327XTSA1 SP000928936
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格，BSS214N H6327的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FDMS0310S
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET PT8 30V/20V NCH ERTREN
1:¥6.6105
10:¥5.4805
100:¥3.5369
1,000:¥2.825
3,000:¥2.3843
参考库存:16890
FDS6910
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET Dual N-Ch LogicLevel PowerTrench MOSFET
1:¥9.0626
10:¥7.7631
100:¥5.989
500:¥5.2997
1,000:¥4.181
2,500:¥4.181
参考库存:82972
SI7900AEDN-T1-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 20V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8
1:¥10.3734
10:¥9.1417
100:¥7.2433
500:¥5.6161
3,000:¥4.0228
6,000:查看
参考库存:2839
FDD86102LZ
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
1:¥7.8422
10:¥6.7348
100:¥5.1754
500:¥4.5765
1,000:¥3.616
2,500:¥3.616
参考库存:25291
SIJ478DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 80V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L
1:¥12.6786
10:¥10.4525
100:¥7.9891
500:¥6.9043
3,000:¥5.0963
6,000:查看
参考库存:38123

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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