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晶体管
BFU550WX参考图片

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BFU550WX

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  • 射频(RF)双极晶体管 Dual NPN wideband Silicon RFtransistor
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数量单价合计
1
¥4.1471
4.1471
10
¥3.4352
34.352
100
¥2.1018
210.18
1,000
¥1.6159
1615.9
3,000
¥1.3786
4135.8
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
晶体管类型
Bipolar Wideband
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
60
集电极—发射极最大电压 VCEO
16 V
发射极 - 基极电压 VEBO
2 V
集电极连续电流
15 mA
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT323-3
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极—基极电压 VCBO
24 V
直流电流增益 hFE 最大值
200
工作频率
900 MHz
工作温度范围
- 40 C to + 150 C
类型
Wideband RF Transistor
商标
NXP Semiconductors
增益带宽产品fT
11 GHz
最大直流电集电极电流
80 mA
Pd-功率耗散
450 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
934067695115
单位重量
5.569 mg
商品其它信息
优势价格，BFU550WX的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FF150R12YT3
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 N-CH 1.2KV 200A
1:¥388.7313
5:¥380.0529
10:¥362.6848
参考库存:33834
RJH60D0DPK-00#T0
Renesas Electronics
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT
1:¥27.1991
10:¥24.2837
25:¥21.8203
50:¥20.905
参考库存:33839
2N2405
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
1:¥174.4268
5:¥166.5846
10:¥161.364
25:¥148.3012
参考库存:33844
BC847A RF
Taiwan Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Transistor 200mW
1:¥1.5368
10:¥1.3786
100:¥0.90626
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.25312
参考库存:33849
D3S280N65E-T
D3
晶体管
MOSFET 280 mOhm 650V
1:¥12.5995
10:¥10.2152
100:¥8.1473
500:¥7.1303
800:¥5.8986
参考库存:33854

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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