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晶体管
SQJ422EP-T1_GE3参考图片

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SQJ422EP-T1_GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET -40V 75A 83W AEC-Q101 Qualified
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数量单价合计
1
¥13.8312
13.8312
10
¥12.2944
122.944
100
¥9.7632
976.32
500
¥7.6049
3802.45
3,000
¥5.65
16950
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-SO-8L-4
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
75 A
Rds On-漏源导通电阻
2.8 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
100 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
83 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SQ
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
117 S
下降时间
8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
29 ns
典型接通延迟时间
13 ns
单位重量
506.600 mg
商品其它信息
优势价格，SQJ422EP-T1_GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PBSS3540MB,315
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 40 V, 0.5 A PNP low VCEsat transistor
1:¥2.147
10:¥1.4577
100:¥0.60681
1,000:¥0.41471
10,000:¥0.27685
20,000:查看
参考库存:80668
PBSS5130QAZ
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 30 V, 1A PNP low VCE sat (BISS) transi
1:¥2.9945
10:¥2.0792
100:¥0.95259
1,000:¥0.73789
5,000:¥0.62263
参考库存:26780
PSMN3R0-30YLDX
Nexperia
晶体管
MOSFET 30V N-Channel 3.0mOhm
1:¥6.0681
10:¥5.1076
100:¥3.2996
1,000:¥2.6329
1,500:¥2.6329
参考库存:8022
PSMN028-100YS,115
Nexperia
晶体管
MOSFET N-CHANNEL 100V STD LEVEL MOSFET
1:¥5.6839
10:¥4.7799
100:¥3.0849
1,000:¥2.4634
1,500:¥2.4634
参考库存:16579
BCP5216TA
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Pwr Mid Perf Transistor SOT223 T&R 1K
1:¥2.7685
10:¥1.9549
100:¥0.90626
1,000:¥0.69156
2,000:¥0.59212
参考库存:17266

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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