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晶体管
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QPD1010

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-4GHz 10W 28-50V SSG 25dB PAE 70% GaN
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数量单价合计
1
¥157.9062
157.9062
25
¥136.5492
3413.73
100
¥118.1076
11810.76
250
¥109.8812
27470.3
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
24.7 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
50 V
Vgs-栅源极击穿电压
145 V
Id-连续漏极电流
400 mA
输出功率
11 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
Pd-功率耗散
13.5 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
QFN-16
封装
Waffle
配置
Single
工作频率
4 GHz
工作温度范围
- 40 C to + 85 C
系列
QPD
商标
Qorvo
开发套件
QPD1010-EVB1
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
Transistors
Vgs th-栅源极阈值电压
- 2.8 V
零件号别名
1132873
单位重量
2.300 g
商品其它信息
优势价格,QPD1010的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Bias Resistor Built-in transistor
1:¥2.0001
10:¥1.2882
100:¥0.53788
1,000:¥0.36838
8,000:¥0.23843
24,000:查看
参考库存:100951
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Hi-Pwr Amp
1:¥46.0249
10:¥45.6407
25:¥41.5727
100:¥37.4934
250:¥34.4198
参考库存:3953
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 25A 60V 200W PNP
1:¥49.7878
10:¥45.0305
50:¥42.9513
100:¥37.2674
参考库存:4935
晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥3.5369
10:¥2.9945
100:¥1.8193
1,000:¥1.4125
3,000:¥1.2091
参考库存:32767
晶体管
达林顿晶体管 NPN Epitaxial Sil Darl
1:¥5.2997
10:¥4.4635
100:¥2.8815
1,000:¥2.3052
2,000:¥2.0566
参考库存:9999
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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