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晶体管
SISA26DN-T1-GE3参考图片

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SISA26DN-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 25V Vds 16V Vgs PowerPAK 1212-8
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库存:33,972(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.4523
6.4523
10
¥5.198
51.98
100
¥3.955
395.5
500
¥3.2544
1627.2
1,000
¥2.6103
2610.3
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-1212-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
25 V
Id-连续漏极电流
60 A
Rds On-漏源导通电阻
2.15 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
16 V, - 12 V
Qg-栅极电荷
44 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
39 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SiSA26DN
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
88 S
下降时间
8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
23 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
16 ns
典型接通延迟时间
9 ns
商品其它信息
优势价格,SISA26DN-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 1.8V P-Channel
1:¥6.0681
10:¥4.9042
100:¥3.729
500:¥3.0736
1,000:¥2.4634
2,500:¥2.2261
参考库存:84365
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS GP XSTR PNP 45
1:¥1.5368
10:¥1.4012
100:¥0.49155
1,000:¥0.32996
3,000:¥0.25312
参考库存:303617
晶体管
MOSFET N-channel 500 V, 0.24 Ohm typ., 13 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package
1:¥18.5998
10:¥15.7522
100:¥12.5995
500:¥11.0627
2,500:¥8.5315
5,000:查看
参考库存:9929
晶体管
MOSFET N-CH 60V HEXFET MOSFET I-PAK
1:¥13.5261
10:¥11.30
100:¥8.7575
500:¥7.6162
1,000:¥6.3054
参考库存:19796
晶体管
MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS
1:¥8.8366
10:¥7.4806
100:¥5.7517
500:¥5.0737
800:¥4.0115
参考库存:78323
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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