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晶体管
SQJB42EP-T1_GE3参考图片

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SQJB42EP-T1_GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET Dual N-Channel 40V PowerPAK
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库存:14,216(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥9.379
9.379
10
¥7.6727
76.727
100
¥5.8986
589.86
500
¥5.0624
2531.2
1,000
¥4.0002
4000.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-SO-8L-4
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
30 A
Rds On-漏源导通电阻
7.9 mOhms, 7.9 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
30 nC, 30 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
48 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
Reel
系列
SQ
晶体管类型
2 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
37 S, 37 S
下降时间
18 ns, 18 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
4 ns, 4 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
21 ns, 21 ns
典型接通延迟时间
13 ns, 13 ns
单位重量
506.600 mg
商品其它信息
优势价格,SQJB42EP-T1_GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 100V N-Ch QFET Logic Level
1:¥8.4524
10:¥7.1868
100:¥5.5257
500:¥4.8816
1,000:¥3.8533
参考库存:15689
晶体管
IGBT 晶体管 600V AUTO ULTRAFAST 10-30 KHZ IGBT
1:¥35.8888
10:¥30.51
100:¥26.4307
250:¥25.0521
参考库存:5996
晶体管
MOSFET -20V -1.3A P-Channel
1:¥3.842
10:¥2.4521
100:¥1.05316
1,000:¥0.80682
3,000:¥0.61472
参考库存:128258
晶体管
MOSFET N-CH 400V HEXFET MOSFET
1:¥12.5204
10:¥10.3734
参考库存:13365
晶体管
MOSFET -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70
1:¥4.0002
10:¥2.9945
100:¥2.2261
500:¥1.8306
3,000:¥1.2882
6,000:查看
参考库存:59967
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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