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晶体管
DMN62D1LFDQ-7参考图片

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DMN62D1LFDQ-7

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库存:24,844(价格仅供参考)
数量单价合计
3,000
¥0.69947
2098.41
9,000
¥0.63732
5735.88
24,000
¥0.59212
14210.88
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
U-DFN1212-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
400 mA
Rds On-漏源导通电阻
2 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
600 mV
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
0.55 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
0.5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
正向跨导 - 最小值
1.8 S
下降时间
13.9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
2.8 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
21 ns
典型接通延迟时间
2.1 ns
商品其它信息
优势价格,DMN62D1LFDQ-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET PT8 30/12V Dual Nch Power Trench MOSFET
1:¥14.6787
10:¥12.5204
100:¥9.9892
500:¥8.7575
3,000:¥6.7687
6,000:查看
参考库存:15846
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN SOT-723 50V VCC 0.1A IC
1:¥1.695
10:¥1.10627
100:¥0.46104
1,000:¥0.31527
2,500:¥0.24634
8,000:¥0.2147
参考库存:84578
晶体管
MOSFET 60V Vds +/-20V Vgs AEC-Q101 Qualified
1:¥3.9211
10:¥2.9945
100:¥2.2261
500:¥1.8193
3,000:¥1.2882
6,000:查看
参考库存:160440
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Dual Matched NPN 50Vcbo 50Vceo 350mW
1:¥5.2997
10:¥4.5313
100:¥3.1414
1,000:¥2.3391
3,000:¥1.9775
参考库存:19127
晶体管
MOSFET 40V 5.4 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8
1:¥9.831
10:¥8.4524
100:¥6.4975
500:¥5.7404
1,500:¥4.0228
9,000:查看
参考库存:5949
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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