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产品分类

晶体管
IKFW50N60DH3XKSA1参考图片

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IKFW50N60DH3XKSA1

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数量单价合计
1
¥52.3303
52.3303
10
¥47.2566
472.566
25
¥45.0305
1125.7625
100
¥39.1093
3910.93
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
PG-TO247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.85 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
53 A
Pd-功率耗散
145 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
60 A
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
零件号别名
IKFW50N60DH3 SP001672364
商品其它信息
优势价格,IKFW50N60DH3XKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 20V Vds 8V Vgs SC75A
1:¥4.1471
10:¥2.3956
100:¥1.4012
500:¥1.1413
3,000:¥0.76049
6,000:查看
参考库存:423850
晶体管
MOSFET Auto 40V N-Ch FET 1.9mOhm 193A
1:¥19.9784
10:¥16.9839
100:¥13.5261
500:¥11.8311
参考库存:17147
晶体管
IGBT 模块 N-CH 1.2KV 100A
1:¥1,160.3631
5:¥1,137.5371
10:¥1,084.5175
25:¥1,061.7028
参考库存:2329
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP PNP+NPN 0.7A 30V
1:¥3.842
10:¥2.8928
100:¥1.5707
1,000:¥1.1752
3,000:¥1.01474
参考库存:17176
晶体管
MOSFET N-Ch 100 Volt 80 Amp
1:¥22.5096
10:¥19.1309
100:¥16.5997
250:¥15.7522
参考库存:11658
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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