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晶体管
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IPD26N06S2L35ATMA2

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数量单价合计
1
¥5.3788
5.3788
10
¥4.4635
44.635
100
¥2.8815
288.15
1,000
¥2.3052
2305.2
2,500
¥1.9436
4859
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
55 V
Id-连续漏极电流
30 A
Rds On-漏源导通电阻
27 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
24 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
68 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
6.22 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
11 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
18 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
26 ns
典型接通延迟时间
5 ns
零件号别名
IPD26N06S2L-35 SP001063630
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格，IPD26N06S2L35ATMA2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PD55035STR-E
STMicroelectronics
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暂无价格
参考库存:53585
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1:¥6.9947
10:¥6.0229
100:¥4.633
500:¥4.0906
1,000:¥3.2318
10,000:¥3.2318
参考库存:53595

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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