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晶体管
IRFI4510GPBF参考图片

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IRFI4510GPBF

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET MOSFET, 100V, 30A, 1 TO-220 Fullpack
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数量单价合计
1
¥14.0572
14.0572
10
¥11.9893
119.893
100
¥9.605
960.5
500
¥8.3733
4186.65
1,000
¥6.9721
6972.1
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
35 A
Rds On-漏源导通电阻
10.7 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
54 nC
Pd-功率耗散
42 W
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
55 S
下降时间
37 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
33 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
54 ns
典型接通延迟时间
16 ns
零件号别名
SP001566752
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，IRFI4510GPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PSMN8R9-100BSEJ
Nexperia
晶体管
MOSFET PSMN8R9-100BSE/SOT404/D2PAK
800:¥10.1474
1,600:¥8.3733
3,200:¥7.8422
5,600:¥7.5032
参考库存:43468
CMKT2907A
Central Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Dual PNP
6,000:¥1.921
9,000:¥1.8532
24,000:¥1.7854
45,000:¥1.7515
参考库存:43473
DMT10H009LSS-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V
2,500:¥3.2092
10,000:¥3.0849
25,000:¥2.9945
参考库存:129781
APT13003EZTR-G1
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 465V NPN High Volt 700Vces 450Vceo
2,000:¥0.60681
10,000:¥0.53788
24,000:¥0.50737
参考库存:84783
IFN423
InterFET
晶体管
JFET Very high input impedence
65:¥110.8078
100:¥101.9712
250:¥92.9764
500:¥86.9083
参考库存:43482

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    50万现货SKU

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