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晶体管
SQM47N10-24L_GE3参考图片

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SQM47N10-24L_GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 100V 47A 136W AEC-Q101 Qualified
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数量单价合计
1
¥18.5207
18.5207
10
¥15.368
153.68
100
¥11.9102
1191.02
500
¥10.4525
5226.25
800
¥8.6784
6942.72
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
47 A
Rds On-漏源导通电阻
17 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
72 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
136 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SQ
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
85 S
下降时间
6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
6 ns
工厂包装数量
800
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
32 ns
典型接通延迟时间
10 ns
单位重量
1.438 g
商品其它信息
优势价格，SQM47N10-24L_GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
TSM4ND60CI RLG
Taiwan Semiconductor
晶体管
MOSFET 600V 4A Single N-Chan Pwr MOSFET
4,000:¥3.8759
6,000:¥3.6838
10,000:¥3.5934
26,000:¥3.5143
参考库存:49713
APTGLQ600A65T6G
Microsemi
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
100:¥1,526.2006
参考库存:49718
PTFB193404F-V1-R0
Wolfspeed / Cree
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥1,281.0019
参考库存:49723
TSM4ND60CI C0G
Taiwan Semiconductor
晶体管
MOSFET 600V 4A Single NChnl Power MOSFET
4,000:¥3.6838
10,000:¥3.5934
24,000:¥3.5143
参考库存:49728
NVMFS5C673NLAFT3G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET TRENCH 6 60V NFET
5,000:¥2.3165
10,000:¥2.2261
25,000:¥2.147
参考库存:29782

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

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