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晶体管
SSM6J205FE参考图片

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SSM6J205FE

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET Vds=-20V Id=-800mA 6Pin
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
ES6-6
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
80 mA
Rds On-漏源导通电阻
234 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
500 mW (1/2 W)
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Reel
高度
0.55 mm
长度
1.6 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
SSM6J205
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
1.2 mm
商标
Toshiba
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
8000
子类别
MOSFETs
单位重量
36 mg
商品其它信息
优势价格,SSM6J205FE的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRNS DOUBL RET TAPE7
1:¥2.2261
10:¥1.5594
100:¥0.65314
1,000:¥0.44522
3,000:¥0.34578
参考库存:171028
晶体管
IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 30 A low loss
1:¥21.4361
10:¥18.2156
100:¥14.5996
500:¥12.7577
1,000:¥10.5316
参考库存:13035
晶体管
MOSFET TRANSITIONAL MOSFETS
1:¥4.8364
10:¥4.0341
100:¥2.6103
1,000:¥2.0792
5,000:¥2.0792
参考库存:28132
晶体管
IGBT 晶体管 Trench IGBT
1:¥27.0522
10:¥22.9729
100:¥19.8993
250:¥18.9049
500:¥16.9048
800:¥16.9048
参考库存:29604
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Medium Power
1:¥3.2996
10:¥2.5538
100:¥1.3786
1,000:¥1.03734
3,000:¥0.89948
9,000:¥0.83733
参考库存:243066
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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