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晶体管
STGF30M65DF2参考图片

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STGF30M65DF2

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 30 A low loss
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数量单价合计
1
¥21.4361
21.4361
10
¥18.2156
182.156
100
¥14.5996
1459.96
500
¥12.7577
6378.85
1,000
¥10.5316
10531.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220FP-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.55 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
60 A
Pd-功率耗散
38 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGF30M65DF2
集电极最大连续电流 Ic
60 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
+/- 250 uA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
单位重量
2 g
商品其它信息
优势价格,STGF30M65DF2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Dual 20V NPN
1:¥11.6051
10:¥9.831
100:¥7.91
500:¥6.9269
1,000:¥5.7404
参考库存:6625
晶体管
MOSFET SIPMOS Sm-Signal 240V 6Ohm 350mA
1:¥4.2262
10:¥3.5143
100:¥2.147
1,000:¥1.6611
2,000:¥1.4125
参考库存:20057
晶体管
MOSFET Std N-chanMOSFET
1:¥21.0519
10:¥17.8992
100:¥15.5262
250:¥14.7578
800:¥11.1418
2,400:查看
参考库存:28334
晶体管
MOSFET 20V Vds 20V Vgs Thin PowerPAK SC-70
1:¥4.3053
10:¥3.3335
100:¥2.486
500:¥2.034
3,000:¥1.4351
6,000:查看
参考库存:27936
晶体管
MOSFET N-Chnl 100V
1:¥6.3054
10:¥5.3788
100:¥4.1358
500:¥3.6612
1,000:¥2.8815
参考库存:18288
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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