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晶体管
IPI120N04S3-02参考图片

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IPI120N04S3-02

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 40V 120A I2PAK-3 OptiMOS-T
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数量单价合计
500
¥14.8256
7412.8
1,000
¥12.5204
12520.4
2,500
¥11.9102
29775.5
5,000
¥11.4469
57234.5
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-262-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
120 A
Rds On-漏源导通电阻
2.3 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
300 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
OptiMOS
封装
Tube
高度
9.45 mm
长度
10.2 mm
系列
OptiMOS-T
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.5 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
18 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
19 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
57 ns
典型接通延迟时间
35 ns
零件号别名
IPI120N04S302AKSA1 IPI12N4S32XK SP000261225
单位重量
2.387 g
商品其它信息
优势价格，IPI120N04S3-02的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BUK9C1R3-40EJ
Nexperia
晶体管
MOSFET BUK9C1R3-40E/D2PAK/REEL13
暂无价格
参考库存:41230
DDTA123YCA-7-F
Diodes Incorporated
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双极晶体管 - 预偏置 PRE-BIAS PNP 200mW
3,000:¥0.24634
9,000:¥0.2147
24,000:¥0.20001
45,000:¥0.18419
参考库存:41235
DMT10H009SSS-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V
2,500:¥3.2092
10,000:¥3.0849
25,000:¥2.9945
参考库存:41240
SI1404BDH-T1-E3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 30V 1.9A 2.25W
3,000:¥2.0001
6,000:¥1.8758
9,000:¥1.808
24,000:¥1.7289
参考库存:41245
AFIC10275GNR1
NXP / Freescale
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 978-1090 MHz, 250 W Peak, 50 V
500:¥1,609.9562
参考库存:41250

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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