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晶体管
NVD5802NT4G-VF01参考图片

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NVD5802NT4G-VF01

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET NFET DPAK 40V 110A 6.5MOH
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数量单价合计
2,500
¥6.102
15255
5,000
¥5.876
29380
10,000
¥5.65
56500
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DPAK-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
101 A
Rds On-漏源导通电阻
4.4 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
100 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
93.75 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Reel
商标
ON Semiconductor
正向跨导 - 最小值
16.8 S
下降时间
8.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
52 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
39 ns
典型接通延迟时间
14 ns
商品其它信息
优势价格,NVD5802NT4G-VF01的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
1:¥191.7158
5:¥182.1108
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1:¥1.5368
10:¥1.04525
100:¥0.43844
1,000:¥0.29945
3,000:¥0.23843
参考库存:7861
晶体管
MOSFET Automotive-grade N-channel 80 V, 3.3 mOhm typ., 90 A STripFET F7 Power MOSFET in H2PAK-2 package
1:¥21.4361
10:¥18.2156
100:¥14.5996
500:¥12.7577
1,000:¥10.5316
参考库存:5303
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) GP NPN 40V 20MA
1:¥2.7685
10:¥1.8645
100:¥0.78422
1,000:¥0.52997
3,000:¥0.41471
参考库存:5985
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双极晶体管 - 预偏置 DIGITAL TRANSISTORS 100MA 50V
1:¥1.695
10:¥1.1413
100:¥0.47686
1,000:¥0.32996
3,000:¥0.25312
参考库存:18667
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    50万现货SKU

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