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晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Qorvo
产品种类	射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS	是
晶体管类型	HEMT
技术	GaN SiC
增益	15 dB
晶体管极性	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压	-
Vgs-栅源极击穿电压	-
Id-连续漏极电流	80 mA
输出功率	7.2 W
最大漏极/栅极电压	-
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	+ 85 C
Pd-功率耗散	8.9 W
安装风格	SMD/SMT
封装	Gel Pack
应用	Defense and Aerospace, Broadband Wireless
配置	Single
工作频率	DC to 25 GHz
系列	TGF
商标	Qorvo
正向跨导 - 最小值	-
NF—噪声系数	1.3 dB
产品类型	RF JFET Transistors
工厂包装数量	50
子类别	Transistors
零件号别名	1113799

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
CSD19536KCS	Texas Instruments	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 100V N-CH NexFET Pwr MOSFET	1:¥33.5836 10:¥30.1936 100:¥24.6679 250:¥23.1311	参考库存:13989
BSS214NWH6327XTSA1	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Ch 20V 1.5A SOT-323-3	1:¥3.3787 10:¥2.2261 100:¥0.95259 1,000:¥0.72998 3,000:¥0.5537	参考库存:125466
CSD19532Q5BT	Texas Instruments	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 100V N ch MOSFET	1:¥19.5151 10:¥16.5997 100:¥13.221 250:¥13.221 500:¥11.526	参考库存:15253
ZXTP2039FTA	Diodes Incorporated	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 60V 1A 3-PIN	1:¥2.8476 10:¥2.2148 100:¥1.1978 1,000:¥0.89948 3,000:¥0.77631 9,000:¥0.72998	参考库存:21565
IPP60R099CP	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Ch 650V 31A TO220-3 CoolMOS CP	1:¥53.9462 10:¥48.7934 25:¥46.4882 100:¥40.341	参考库存:4177