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晶体管
IPP60R099CP参考图片

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IPP60R099CP

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 650V 31A TO220-3 CoolMOS CP
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库存:4,177(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥53.9462
53.9462
10
¥48.7934
487.934
25
¥46.4882
1162.205
100
¥40.341
4034.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
31 A
Rds On-漏源导通电阻
90 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
80 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
255 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
系列
CoolMOS CE
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
60 ns
典型接通延迟时间
10 ns
零件号别名
IPP60R099CPXKSA1 IPP6R99CPXK SP000057021
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,IPP60R099CP的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET P-Ch MOS 33.8 mOhm 10V 10uA 2.0 to 3.0V
1:¥10.8367
10:¥8.6784
100:¥7.5823
500:¥5.876
2,000:¥4.1132
10,000:查看
参考库存:13649
晶体管
MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET
1:¥4.1471
10:¥3.39
100:¥2.0679
1,000:¥1.5933
2,500:¥1.356
参考库存:16201
晶体管
MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥17.6732
10:¥14.6787
100:¥11.3678
500:¥9.9892
1,000:¥8.2264
3,000:¥8.2264
参考库存:27948
晶体管
MOSFET -30V Vds 25V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥8.1473
10:¥6.7235
100:¥5.1641
500:¥4.4409
1,000:¥3.503
3,000:¥3.277
参考库存:33705
晶体管
MOSFET N-Ch 600V 11.3A ThinPAK 5x6
1:¥12.3735
10:¥10.4525
100:¥8.3733
500:¥7.3563
5,000:¥5.4579
参考库存:28292
  • 海量现货

    50万现货SKU

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