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晶体管
SIR167DP-T1-GE3参考图片

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SIR167DP-T1-GE3

  • Vishay Semiconductors
  • 新批次
  • MOSFET -30V Vds 25V Vgs PowerPAK SO-8
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库存:33,705(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥8.1473
8.1473
10
¥6.7235
67.235
100
¥5.1641
516.41
500
¥4.4409
2220.45
1,000
¥3.503
3503
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-SO-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
60 A
Rds On-漏源导通电阻
4.6 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
74 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
65.8 W
配置
Single
商标名
TrenchFET, PowerPAK
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SIR
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
35 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
20 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
18 ns
典型接通延迟时间
25 ns
商品其它信息
优势价格,SIR167DP-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET -150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥30.736
10:¥25.4363
100:¥20.9728
250:¥20.2835
3,000:¥20.2835
参考库存:37418
晶体管
MOSFET Power MOSFET N-Channel
1:¥14.0572
10:¥11.30
100:¥9.0626
500:¥7.91
2,000:¥6.102
4,000:查看
参考库存:15605
晶体管
MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET DIRECTFET SJ
1:¥11.6842
10:¥9.9892
100:¥7.684
500:¥6.8026
4,800:¥4.7573
9,600:查看
参考库存:98577
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF power trans LDmoST plastic
1:¥69.6984
10:¥63.0088
25:¥60.0934
100:¥52.1721
3,000:¥38.1149
参考库存:12424
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) S-MINI PLN TRANSIST Pd=200mW F=200MHz
1:¥2.7685
10:¥1.7854
100:¥0.7458
1,000:¥0.50737
3,000:¥0.3842
参考库存:17066
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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